●ランダムライトが向上、IOPSで約2倍に

　Intel製SSDで採用されているNANDフラッシュメモリの製造プロセスはこれまで50nmだったが、今回のモデルで採用されているのは34nmプロセスの新タイプ。公称のデータ転送速度（シーケンシャルアクセス時）は従来の50nm版と同じリード時250MB/s、ライト時70MB/sだが、同社によれば小容量のデータを転送するランダムライト時のIOPS（Input Output Per Second）が改善しており、OSやアプリケーションなどのパフォーマンス向上が期待できる。

　同社のベンチマークテスト（IOMeterを使用、Queue Depthは32に設定）によれば、ランダム4KBライトの結果が50nm版では3.3K IOPSだったのに対し、34nm版では80GBモデルが6.6K IOPSに、160GBモデルが8.6K IOPSに向上している（ランダム4KBリードは従来と同じ35K IOPS）。

　また、レイテンシや耐衝撃性も向上。レイテンシはリード時65μs、ライト時85μs（50nm版はリード時85μs、リード時115μs）、耐衝撃性は1,500G/0.5ms（50nm版は1,000G/0.5ms）とされている。このほか、筐体が従来の黒色から、アルミ素材をむき出しにしたような銀色に変わっているのも特徴と言える。

　消費電力は動作時150mW、アイドル時75mW。Serial ATAインターフェイスは転送速度3Gbpsをサポートする。

●入荷は少量

　入荷に関しては「少量」と話すショップがいまのところほとんど。売れ行きに関してはショップによって温度差があるが、「80GBモデルは週内に一度売り切れそう」と話すショップが複数ある状況だ。もっとも、「継続的な入荷がある見込み」（ショップ）で、極端な品薄になる可能性は少なそうだ。

　なお、新モデルの発売にともない、旧モデルとなった50nm版を24,000円割れで販売するショップも複数出ている。

□ソリッドステート・ドライブとキャッシュ（インテル）
http://www.intel.co.jp/jp/design/flash/nand/

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Intel SSDSA2MH080G2

[撮影協力:ZOA 秋葉原本店とT-ZONE. PC DIY SHOPとソフマップ 秋葉原 リユース総合館とTWOTOP秋葉原本店]