Intel製SSDで採用されているNANDフラッシュメモリの製造プロセスはこれまで50nmだったが、今回のモデルで採用されているのは34nmプロセスの新タイプ。公称のデータ転送速度（シーケンシャルアクセス時）は従来の50nm版と同じリード時250MB/s、ライト時70MB/sだが、同社によれば小容量のデータを転送するランダムライト時のIOPS（Input Output Per Second）が改善しており、OSやアプリケーションなどのパフォーマンス向上が期待できるという。

　同社のベンチマークテスト（IOMeterを使用、Queue Depthは32に設定）によれば、ランダム4KBライトの結果が50nm版では3.3K IOPSだったのに対し、34nm版では80GBモデルが6.6K IOPSに、160GBモデルが8.6K IOPSに向上している（ランダム4KBリードは従来と同じ35K IOPS）。

　また、レイテンシや耐衝撃性も向上。レイテンシはリード時65μs、ライト時85μs（50nm版はリード時85μs、リード時115μs）、耐衝撃性は1,500G/0.5ms（50nm版は1,000G/0.5ms）とされている。このほか、筐体が従来の黒色から、アルミ素材をむき出しにしたような銀色に変わっているのも特徴と言える。

　消費電力は動作時150mW、アイドル時75mW。Serial ATAインターフェイスは転送速度3Gbpsをサポートする。

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